RF rezistik texnologiyasi va arizalarni tahlil qilish

RFning roziligi (radiostenali cho'ntagi) RF thismatentlari, xususan, signalni kuchaytirish, nomuvofiqlik, moslik va yuqori chastotali muhitda energiya taqsimlash uchun mo'ljallangan. Ular yuqori chastotali xususiyatlar, moddiy tanazzul va tarkibiy dizayni nuqtai nazaridan, ularni aloqa tizimlari, radar, test asboblari va boshqa sohalarda ishlab chiqaradigan standart qarshiliklardan sezilarli darajada farq qiladi. Ushbu maqola ularning texnik printsiplari, ishlab chiqarish jarayonlari, yadro xususiyatlari va odatiy dasturlarni tizimli tahlil qilishni ta'minlaydi.

I. Texnik printsiplar
Yuqori chastotali xususiyatlar va parazitar parametr nazorati
RF qarshilik ko'rsatgichlari parazitga yo'l qo'ymaslik va undosh yo'l-yo'riqqa va tashqi ko'rinishni qattiq siqishni talab qiladigan barqaror ko'rsatkichni saqlab qolishlari kerak. Oddiy avtobus qo'rg'oshin va interveyerning imkoniyatlaridan aziyat chekmoqda, bu esa yuqori chastotalarda yuzma-yuz o'tishga olib keladi. Kalit echimlar quyidagilarni o'z ichiga oladi:

Yupqa / qalin plyonkalarning jarayoni: Keramni (masalan, tanali sovitilgan Nikr qotishmasi) parazitizmlarni minimallashtirish uchun fotolitografiya orqali fotolitografiya orqali shakllantiriladi.

Inducter bo'lmagan tuzilma: spiral yoki serpantinin sxemalari hozirgi yo'llar bilan yaratilgan magnit maydonlariga, 0,1n ni kamaytirishga olib keladigan magnit maydonlariga qarshi.

Yolg'on va kuchni buzish

Keng polosali mos keladigan: RF rozasi yuqori tarmoqli (masalan, DC ~ 40Hz) bo'ylab (masalan, DC ~ 40Hz), aks ettirish koeffitsientlari (vswr) bilan, masalan, koeffitsientlar (masalan, DC ~ 40Hz).

Elektr energiyasini ishlatish: RF rezervati, metall isitma cho'kadigan terim yoki ally₃ / aln keramikadan foydalanish, yuzlab varaqlarga ega bo'lgan (masalan, 100w @ 1gz).

Moddiy materiallar

Ruxsatsiyaviy materiallar: yuqori chastotali, kam shovqinli materiallar (masalan, tan, Nikr) past harorat koeffitsientlarini (<50ppm / ℃) va yuqori barqarorlik ta'minlaydi.

Substrat materiallari: Yuqori issiqlik o'tkazuvchanligi uchun keramika (Al₂₂, Aln) yoki Ptfe substratlari termal qarshilikni kamaytiradi va issiqlikni buzishni kuchaytiradi.

II. Ishlab chiqarish jarayoni
RF rezistorlari ishlab chiqarishning yuqori chastotasi va ishonchliligini muvozanatlaydi. Asosiy jarayonlarga quyidagilar kiradi:

Yupqa / qalin plyonka cho'kmasi

Shishish: Nano-shkala forma plyonkalari ± 0,5% bag'rikenglikka erishgan holda yuqori vakuum muhitida saqlanadi.

Lazer kesish: Lazerni sozlash Qarshilik qiymatlarini ± 0,1% aniqligi.

Qadoqlash texnologiyalari

Erkinlik o'rnatish (SMT): Miniatyurizatsiyalangan paketlar (masalan, 0402, 0603) kostyum 5G smartfon va ioto Modullar.

Koaksial qadoq: SMA / BNC interfeyslari bilan metall buyumlar qo'llaniladi (masalan, radar uzatuvchi).

Yuqori chastotali sinov va kalibrlash

Vektorli tarmoq analizatori (VCE): S-parametrlarni (S11 / S21), tenglantirish va kiritish yo'qolishini tasdiqlaydi.

Termal simulyatsiyasi va qarish testlari: harorat ko'tarilish yuqori quvvat ostida va uzoq muddatli barqarorlik ostida (masalan, 1000 soat umr ko'rishi).

III. Yadro xususiyatlari
RF quyidagi sohalarda ortda turar joylarga yordam beradi:

Yuqori chastotali ishlash

Past parazitlar: parazitizm <0,5nh, unakans <0.1pf, Go'z diapazoni barqaror ta'sirini ta'minlash.

Keng polosali javob: 5G NR va Sun'iy yo'ldosh va sun'iy yo'ldosh aloqalarida DC ~ 110Gz (masalan, mmwave guruhlarini qo'llab-quvvatlaydi.

Yuqori quvvat va issiqlik boshqarmasi

Quvvat zichligi: o'tkinchi pog'onalar (masalan, 1kw @ mms).

Issiqlik dizayni: PAS va fazali radarlar uchun birlashtirilgan issiqlik liniyalari yoki suyuqlik sovutish kanallari.

Atrof-muhitning mustahkamligi

Harorat barqarorligi: Aerokosmik talablariga javob beradigan -55 ℃ dan + 200 gacha ishlaydi.

Tebranish qarshiligi va muhrlash: Mil-STD-810g-sertifikatlangan harbiy-sinf IP67 chang / suvga chidamlilik bilan.

IV. Odatda arizalar
Aloqa tizimlari

5G baza stantsiyalari: VSWR ni kamaytirish va signal samaradorligini oshiradigan palaning mos keladigan tarmoqlarda ishlatiladi.

Mikroto'lqinli pavuchul: signalni kuchaytirish uchun attenatorlarning yadro tarkibiy qismi (masalan, 30DB Atroflar).

Radar va elektron urush

Fazali massivlar radarlari: LNASni himoya qilish uchun T / R modullarida qoldiq aks ettirishni o'zlashtiradi.

Jammus tizimlari: Ko'p kanal signalini sinxronlashtirish uchun quvvatni tarqatishni yoqing.

Sinov va o'lchov vositalari

Vektorli tarmoq analizi: o'lchash aniqligi uchun kalibrlash yuklari (50 ta tugatish) sifatida xizmat qiladi.

Pulse quvvat sinovi: O'tkazib yuboruvchilarga vaqtinchalik energiya (masalan, 10 kV puls) ni o'z ichiga oladi.

Tibbiy va sanoat jihozlari

MRI RF Coils: To'qima ko'zgulari sabab bo'lgan tasvir artefaktlarini qisqartirishga mos keling.

Plazma generatorlari: tebranishlarning aylanishiga yo'l qo'ymaslik uchun RF elektr chiqishi barqarorlashtiring.

V. Muammolar va kelgusi tendentsiyalar
Texnik muammolar

Mmwave moslashuvi: 110GGHZ Bands uchun tikuvchilarni loyihalash terining ta'siri va dielektsion yo'qotishlarni buyurishni talab qiladi.

Yuqori puls bardoshlik: bir vaqtning o'zida energiya yangi materiallarni talab qiladi

Rivojlanish tendentsiyalari

Integratsiyalashgan modullar: PCB bo'shlig'ini saqlash uchun bitta paketlarda (masalan, AIP antenna modullarida filtrlar / balunlar bilan birlashing.

Aqlli nazorat: Adaptiv yondoshish uchun harorat / quvvat sensorlarini (masalan, 6G reablonli sirtlar) joylashtiring.

Moddiy yangiliklar: 2D materiallar (masalan, grafen) Ultra-keng polosali, ultra kam yo'qotishlarga rashkalarga ega bo'lishi mumkin.

VI. Xulosa
Yuqori chastota tizimlarining "jim vasiylari" sifatida RF mutlaqo muvozanatni moslashtirish, kuchni tarqatish va chastota barqarorligini uyg'otadi. Ularning arizalari 5G bazaviy stantsiyalar, bosqichma-massiv ralar, tibbiy tasvirlar va sanoat plazma tizimlarini qamrab oladi. Mmvave aloqa va keng tarmoqli yarimo'tkazgichlardagi prognozlar bilan, RF avlodlari yuqori chastotalar, katta quvvat bilan ishlash va aql-idrokka va aqlga ega bo'lib, keyingi avlod simsiz tizimlarida ajralib turadi.